9月14日，SK海力士正式宣布，已率先完成全球首款新一代HBM4内存的研发工作，并全面进入可大规模量产的阶段。此次推出的HBM4内存具备2048-bit的I/O接口位宽，单针脚带宽达到10Gbps，使得单颗芯片的数据传输速率最高可达2.5TB/s，性能表现极为亮眼。值得一提的是，这一数值已超越JEDEC标准所定义的8G...

感谢网友阿迷提供的线索！9月12日消息，SK海力士正式宣布已完成专为人工智能应用打造的超高性能存储器新品HBM4的研发，并在全球范围内率先建立起完整的量产体系。SK海力士表示：“我们已成功开发出将推动AI新时代发展的HBM4存储器，并基于这一技术突破，在全球首家实现了HBM4的量产体系建设。这再次巩固了我们在AI导向型...

9月3日消息，据韩国媒体YonhapNews9月2日报道，三星电子株式会社的工会成员于当地时间周二向公司会长李在镕递交了一封公开信，呼吁企业提升奖金分配制度的透明度。在致三星集团实际掌舵人的文件中，员工们明确提出，希望引入更加公开、公正的奖金评估机制，并取消当前依赖经济增加值（EVA）的评定模式。工会在信中指出：“SK...

8月25日消息，SK海力士宣布其全新321层2TbQLCNAND闪存产品已成功完成研发，并正式进入量产阶段。此举实现了全球首次突破300层的QLCNAND技术应用，刷新了NAND存储密度的行业纪录。公司预计在完成全球客户的验证流程后，将于明年上半年正式推出该产品。为了增强新产品的市场竞争力，SK海力士推出了单颗容量达2...

8月12日消息，科技媒体WccfTech昨日（8月11日）发布博文，指出SK海力士（SKHynix）为提升DDR5与高带宽存储（HBM）产品的性能，并在先进存储技术领域保持领先，正计划在1cDRAM的量产中引入六层极紫外光（EUV）工艺。报道称，这一技术方案不仅打破了现有行业规范，还将显著增强DDR5与HBM存储器的性...

这是自1992年以来，DRAM内存市场龙头宝座首次易主。2025年第一季度，SK海力士（SKHynix）首次超越三星电子（SamsungElectronics），跃居全球最大的内存芯片制造商。这一历史性转变主要得益于人工智能（AI）技术的迅猛发展以及高带宽内存（HBM）需求的爆发式增长。根据三星于7月31日发布的财报数...

据韩国媒体ETNews报道，SK海力士已加快16Hi（16层堆叠）HBM3E内存的量产准备工作，目前已全面启动生产测试，为明年初的样品交付和2025年上半年的规模化量产奠定基础。SK海力士这款16HiHBM3E内存采用24GbDRAM芯片和先进的MR-RUF键合技术，单堆栈容量达到48GB，相比上一代12HiHBM3E...

SK海力士推出面向AI数据中心的高容量固态硬盘PS1012U.2，容量高达61TB！新闻摘要：SK海力士今日宣布其最新研发的PS1012U.2固态硬盘，专为AI数据中心的高性能需求而设计。这款2.5英寸SSD采用PCIe5.0接口，性能大幅提升，并支持OCP2.0标准，兼容性更强。公司计划于今年内向全球服务器厂商提供样...

本站12月13日消息，@harukaze5719发现，SK海力士消费级PCIe5.0固态硬盘PlatinumP51已经在韩国Danawa处上架，发售日期显示为12月，但价格暂未公布。同时，韩国媒体QuasarZone今天也放出了P51评测数据，其速度大约是现有P41的两倍，这都意味着这款硬盘将于近期上市。值得一提的是，...

本站11月13日消息，SK海力士NAND闪存解决方案子公司Solidigm今日宣布，推出现有最大的122TB容量NAND闪存解决方案，并基于QLC*的eSSD（本站注：企业级固态硬盘）新产品“D5-P5336”。据介绍，D5-P5336“全球首次”具备可随机写入长达五年的耐用性，适用于数据密集型的AI工作。Solidi...

本站11月4日消息，SK海力士CEO郭鲁正今日在韩国首尔举行的SKAISummit2024上介绍了全球首款16-HighHBM3E内存。该产品可实现48GB的单堆栈容量，预计明年初出样。虽然一般认为16层堆叠HBM内存直到下一世代HBM4才会正式商用，但参考内存领域IP企业Rambus的文章，HBM3E也有扩展到16层...